Jūsu grozs ir tukšs.

Preces grozā:
0
Kopā:
€0.00

(IXGN200N60B3) Ixys Transistor: IGBT; 600V; 200A; 830W; SOT227B Ražotājs: IXYS

Kategorija: /Elektroniskas komponentes/Pusvadītāji/Diozu tiltiņi

Pilna attēla apskate

Fotogrāfijām ir informatīvs raksturs, kas nevienmēr atspoguļo preces patieso izskatu.

Cena: €55.21
Norādītā cena ir spēkā,
pasūtot preci 25.09.2017.

Cenā iekļauts PVN 21%

Produkta kods: IXGN200N60B3

Ir piegādātāju noliktavā:3+

   

Skaits: Pievienot grozam

Single transistor Urmax 600V Ic 200A P 830W Ifsm 1.2kA screw
Manufacturer IXYS
Module type IGBT
Semiconductor structure single transistor
Topology single transistor
Off state voltage max. 600V
Collector current 200A
Power 830W
Max. forward impulse current 1.2kA
Case SOT227B
Electrical mounting screw
Mounting screw
Operating temperature -55...150°C
Gate - emitter voltage ±20V
Additional information
Gross weight 0.02 kg

Jūsu grozs ir tukšs.

Preces grozā:
0
Kopā:
€0.00

Izvēlēties ražotāju
Kārtot pēc:
Piegādātāju noliktavā

MasterCard SecureCode Learn More
Verified by Visa Learn More




Kurpirkt.lv - visi Latvijas interneta veikali un cenas