Jūsu grozs ir tukšs.

Preces grozā:
0
Kopā:
€0.00

(BSM50GD120DN2) Infineon technologies Transistor: IGBT; 1.2kV; 72A; 350W; ECONOPACK 2K Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES

Kategorija: /Elektroniskas komponentes/Pusvadītāji/Tranzistori

Pilna attēla apskate

Fotogrāfijām ir informatīvs raksturs, kas nevienmēr atspoguļo preces patieso izskatu.

Cena: €192.06
Norādītā cena ir spēkā,
pasūtot preci 20.09.2017.

Cenā iekļauts PVN 21%

Produkta kods: BSM50GD120DN2

 
Ir piegādātāju noliktavā:  X

Skaits: Pievienot grozam

IGBT half-bridge x3 Urmax 1.2kV Ic 50A P 350W Ifsm 100A
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Module type IGBT
Semiconductor structure transistor/transistor
Topology IGBT half-bridge x3
Off state voltage max. 1.2kV
Collector current 50A
Power 350W
Max. forward impulse current 100A
Case ECONOPACK 2K
Application Inverter
Electrical mounting soldered
Mounting screw
Operating temperature -40...125°C
Gate - emitter voltage ±20V
Additional information
Gross weight 0.22 kg

Jūsu grozs ir tukšs.

Preces grozā:
0
Kopā:
€0.00

Izvēlēties ražotāju
Kārtot pēc:
Piegādātāju noliktavā

MasterCard SecureCode Learn More
Verified by Visa Learn More




Kurpirkt.lv - visi Latvijas interneta veikali un cenas